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Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Anschlussblöcke-DIN-Schiene, Kanal(10920)
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- Solid State Lighting Verbinder-Kontakte(2509)
- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Buchsen für ICS, Transistoren-Adapter(765)
- Buchsen für ICS, Transistoren(2223)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, Spezial-PIN(5397)
- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
- Rechteckige Anschlüsse - kostenloses Hängen, Panelhalterung(15074)
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- Rechteckige Anschlüsse - Board in, Direktdraht zum Board(2459)
- Rechteckige Verbinder-Adapter(251)
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- Rechteckige Anschlüsse - Arrays, Kantentyp, Mezzanin (Board zu Board)(14186)
- Stromanschluss-Eingänge, Steckdosen, Module(4831)
- Austauschbare Steckverbinder(5229)
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- Photovoltaik- (Solarpanel) Anschlüsse - Kontakte(69363)
- Photovoltaik (Solar Panel) Steckverbinder(365)
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- Modulare Steckverbinder-Verdrahtung Blöcke(653)
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- Modulare Steckverbinder-Stecker Gehäuse(3582)
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Relais
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi NTTFS4C08NTWG
| Artikelnummer: | NTTFS4C08NTWG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
onsemi NTTFS4C08NTWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTTFS4C08NTWG.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 820mW (Ta), 25.5W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1113 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.2 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.3A (Ta) Grundproduktnummer NTTFS4 NTTFS4C08NTWG Einzelheiten PDF [English] NTTFS4C08NTWG PDF - EN.pdf -
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